- Источник утверждает, что Qualcomm начинает тестировать свой предполагаемый «Snapdragon 8s Elite», и предположительно произошла утечка информации о его базовой настройке.
- Чип может поставляться с массивом 1+3+2+2, как Snapdragon 8 Gen 3, с одним ядром Prime с частотой 3,21 ГГц.
- Опять же, слухи утверждают, что чип присматривается к более доступной/дешевой линейке телефонов и может дебютировать в первом квартале 2025 года с iQOO и Redmi.
- Предыдущая декабрьская утечка о 8s Elite удваивает то, что мы слышали сейчас, а также предполагаемый номер модели.
Похоже, что наши топовые модели оснащены Snapdragon 8 Elite, хотя ходят слухи, что Qualcomm разрабатывает немного более слабый аналог.
Сообщения о менее мощном SoC исходят от Digital Chat Station на Weibo (по данным Android Authority). Утечка предполагает, что предстоящий чип может называться «Snapdragon 8s Elite» и потенциально может иметь схему ядра 1+3+2+2.
Я изучил предоставленные ими, по слухам, спецификации и заметил, что система на кристалле (SoC), похоже, имела только одно активное ядро процессора, которое, по оценкам, является ее основным ядром и работало на частоте 3,21 ГГц.
В статье упоминается, что 8s Elite может иметь возможность размещения трех ядер, работающих на частоте 3,01 ГГц, двух ядер, работающих на частоте 2,80 ГГц, и еще двух ядер, работающих на частоте 2,02 ГГц. Также предполагается, что 8s Elite будет сопровождаться графическим процессором Adreno 825. Примечательно, что были утверждения, что предполагаемый 8s Elite уже был протестирован на Geekbench для оценки производительности.
По данным DCS, первоначальные характеристики мощности показывают, что чип набрал 1967 баллов за производительность в одноядерном режиме и 5827 баллов в многоядерном режиме. Для справки, аналитик сравнил его со Snapdragon 8 Gen 3 2023 года, который набрал 2200 и 7000 баллов соответственно за одноядерную и многоядерную производительность.
Интересно, что, похоже, раньше мы слышали слухи о том, что «8s Elite» потенциально менее мощный, чем 8 Elite и 8 Gen 3. Еще в декабре DCS подтвердила это предположение, которое было дополнительно подкреплено утечкой из другого источника. источник X. Это заставляет нас полагать, что этот чип может быть предназначен для устройств среднего класса 2025 года, а не для устройств высокого класса. Кроме того, эти слухи указывали на то, что чип имеет номер модели SM8735 и основан исключительно на архитектуре ARM, без использования новейших ядер Oryon от Qualcomm.
Старые сплетни предсказывали, что запуск чипа может произойти в первом квартале 2025 года, и, похоже, недавняя утечка информации от DCS предполагает, что чип будет установлен на будущих устройствах iQOO и Redmi. Потенциально это может совпадать с ожидаемой датой выпуска первого квартала.
По словам источника на Weibo, ходят слухи, что следующий высокопроизводительный чип может стимулировать использование в смартфонах аккумуляторов емкостью около 7000 мАч. Кажется, что в настоящее время разрабатываются некоторые телефоны с такой возможностью, хотя на данный момент в этом слухе конкретно упоминается Realme.
Смотрите также
- Аниме «Возможно, величайший алхимик всех времен» раскрывает превью новой серии 1 в преддверии январской премьеры
- Обзор Fiio SR11: доступный сетевой стример с интеграцией Roon
- И как раз тогда, когда мы думали, что это у нас есть: последние комментарии Ганна к «Отряду самоубийц» делают проблемы канона еще более запутанными
- Какой цвет Galaxy S24 лучший? Мы проверили их все
- Лучшие фильмы десятилетия в формате Dolby Atmos (на данный момент) для проверки вашего домашнего кинотеатра
- Лучшие телефоны для людей, чувствительных к ШИМ/мерцанию, 2024 г.
- Google до сих пор не исправил задержку уведомлений на пикселях, но вы можете попробовать это
- Можно ли использовать поврежденное устройство Stellar Blade после «Неизвестного подарка»?
- OnePlus продолжает добавлять вредоносное ПО в OnePlus 12 и OnePlus Open, свои флагманы премиум-класса.
- Обзор умных очков RayNeo Air 2S XR: повышение уровня
2025-01-14 22:53